国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法以及半导体结构”的专利福州股票配资开户，公开号CN122872099A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体结构的制备方法、另一种半导体结构的制备方法以及半导体结构，其中，另一种半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底包括待形成BCD器件的第一区域和待形成深沟槽电容结构的第二区域；在所述第一区域形成BCD器件；在所述半导体衬底表面形成层间介质层；在所述第一区域形成深沟槽隔离结构、以及在所述第二区域形成深沟槽电容结构；所述深沟槽隔离结构和所述深沟槽电容结构均贯穿所述层间介质层且底部位于所述半导体衬底中。本申请提供的方案能够在不影响BCD器件性能的情况下实现DTI、DTC与BCD器件的集成。
天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息399条，此外企业还拥有行政许可28个。
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